台积电为2nm制程工艺量产建设的新竹科学园区宝山P1晶圆厂,最快将在今年4月份开始安装相关的设备。
台积电2nm工艺将更换晶体管架构,从FinFET转为GAA,相较于N3E工艺,N2在相同功耗下速度增快10%-15%,或在相同速度下功耗降低25%-30%。
此外,台积电还开发了具有背面供电方案的2nm,主要用来帮助客户实现性能、成本与成熟度之间平衡,该芯片有望在2026年实现量产,对此你怎么看?
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