有消息称，三星电子副会长兼DS（半导体）部门主管全永贤近期突访美国英伟达总部，就HBM3E 12层高带宽存储器供应及代工业务展开密集洽谈，以争取关键订单。作为三星电子核心管理者，全永贤去年5月上任后直接掌舵半导体战略，此次行动凸显公司对AI芯片市场的强势布局。值得注意的是，三星已从去年起争取英伟达质量认证但遭驳回，目前正以改进设计的新版本重新申请认证，力图突破供货壁垒。
这一努力因近期进展获得新动能，三星成功向AMD MI350X系列AI芯片供应HBM3E 12层产品，有效缓解外界对品质的质疑，并提升了英伟达订单的可行性。若三星最终获得认证，将与当前HBM领域领头羊SK海力士及美光展开正面竞争，重塑全球存储市场格局。更引人注目的是，全永贤此行还深入探讨了第六代HBM（HBM4）未来供货方向，三星计划凭借第六代1c工艺DRAM实现技术反超，应对SK海力士与美光已交付第五代HBM4样品的压力。
此次高层会谈正值三星半导体业务战略调整期，去年11月公司任命全永贤为联席CEO并直辖存储器事业部，强化其在AI浪潮中的反击态势。
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