今日，半导体制造商SK海力士宣布了一项重大技术突破，公司成功在全球范围内率先实现12层HBM3E芯片的量产，这一里程碑式的成就不仅将HBM产品的最大容量提升至前所未有的36GB，还进一步巩固了SK海力士在面向AI应用的存储器市场的领导地位。
据官方消息，SK海力士通过创新的技术手段，成功将12颗3GB DRAM芯片堆叠至同一封装内，而整体厚度却保持与现有8层产品相当，实现了容量50%的显著提升。这一壮举的背后，是公司对DRAM芯片制造工艺的极致追求，每个芯片被制造得比以往薄了40%，同时采用先进的硅通孔（TSV）技术实现垂直堆叠，有效提升了空间利用率。
值得注意的是，SK海力士在追求更高容量的同时，也解决了堆叠更多变薄芯片所带来的结构性挑战。公司独家应用的核心技术——先进MR-MUF工艺，不仅使新品的散热性能较上一代提升了10%，还显著增强了控制翘曲的能力，确保了产品的稳定性和可靠性，为AI应用的长期稳定运行提供了坚实保障。
自2013年首代HBM问世以来，SK海力士始终走在行业前沿，是迄今为止唯一一家开发并成功向市场供应全系列HBM产品的企业。此次12层HBM3E芯片的量产，不仅标志着公司在HBM技术领域的又一次飞跃，也充分满足了人工智能领域对更高速度、更大容量和更强稳定性的迫切需求。
尤为值得一提的是，这款12层HBM3E芯片在性能上同样表现出色，其运行速度高达9.6Gbps，在搭载四个HBM的GPU上运行大型语言模型如“Llama 3 70B”时，每秒能够读取35次高达700亿个整体参数的数据，为AI模型的训练和推理提供了强大的数据支持。
受此重大利好消息影响，SK海力士的股价在韩国市场应声上涨，涨幅超过8%，公司总市值也随之突破120.34万亿韩元（约合6351.55亿元人民币），充分展现了市场对于公司技术创新能力和市场前景的高度认可。
SK海力士表示，将继续深耕HBM技术领域，不断探索和创新，为全球AI产业的快速发展贡献更多力量。随着12层HBM3E芯片的量产与应用，一个全新的AI存储时代正加速到来。
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