三星还透露,将为 HBM4 内存采用更先进的芯片制造和封装技术。虽然 HBM4 规范尚未获得批准,但据透露,业界正在寻求使用更宽的(2,048 位)内存接口。该公司希望使用 FinFET 晶体管而不是平面晶体管来降低功耗。
这家韩国存储芯片制造商希望在封装方面从微凸块接合转向无凸块(直接铜对铜)接合。即使在逻辑芯片制造领域,这项技术也相对较新,因此 HBM4 可能成本太高。
原创文章,作者:小科同学,如若转载,请注明出处:https://www.kejixun.co/article/589419.html