10 月 18 日，据首尔经济日报报道，三星电子将采用台积电的制造工艺，生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）的核心组件——基底裸片。此前，三星供应的所有 HBM 产品中，作为存储芯片的核心裸片与充当系统半导体的基底裸片均由自家生产，如今三星决定接受英伟达的技术要求，调整 HBM 的一站式全包制造模式。
业内消息人士称，英伟达已向三星电子、SK 海力士和美光三家 NVHBM 供应商提出要求：使用台积电 3 纳米工艺制造基底裸片，核心裸片统一采用代号 1c 的第六代 DRAM 工艺。NVHBM 基于第七代 HBM 标准 HBM4E 架构开发，是英伟达 8 月发布的定制版高带宽内存。
英伟达提出这一要求，是因为各家供应商的制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，标准化也能减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部经过内部评估，决定接受这一要求。
报道提到，对于标准 HBM 产品，三星仍会保留一站式全包生产策略。今年三星全球率先量产第六代 HBM4，目前第七代 HBM4E 正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研 4 纳米代工工艺，核心裸片则在华城、平泽厂区的 1c 产线生产。
面向 AMD 等其他客户的定制 HBM，三星计划继续沿用一站式全包方案，同时保留在自家晶圆厂研发、生产 NVHBM 的可能性。一位业内人士表示，三星正在验证能否在自有产线上制造 NVHBM 基底裸片，这是一项预案，用于防止 NVHBM 需求超出台积电产能上限。
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