近日，SK 海力士宣布已成功量产全球最高的321层1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存，再次刷新了NAND闪存堆叠层数的技术纪录。这款新产品不仅在数据存储容量上有所提升，更在数据传输速度、读取性能和能效方面实现了显著优化。
据悉，与上一代238层NAND闪存产品相比，321层产品在数据传输速度和读取性能上分别提高了12%和13%，数据读取能效也提升了10%以上。这一技术突破无疑将为用户带来更快的数据处理速度和更高效的能源利用。
SK 海力士表示，公司自2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品以来，一直致力于技术突破和创新。此次成功推出超过300层的NAND闪存，标志着SK 海力士在NAND闪存技术领域再次取得了重大进展。公司计划从2025年上半年起，正式向客户提供这款321层NAND闪存产品，以满足日益增长的市场需求。
在产品开发过程中，SK 海力士采用了高效的“3-Plug”工艺技术，成功克服了堆叠层数增加带来的技术挑战。该技术通过分三次进行通孔工艺流程，并经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接，实现了高效堆叠。同时，SK 海力士还开发出了低变形材料，并引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术，进一步提升了产品的可靠性和稳定性。
此外，SK 海力士技术团队充分利用上一代238层NAND闪存的开发平台，将相关技术和经验应用于321层产品的开发中。这一举措不仅缩短了产品开发周期，还最大限度地减少了工艺变化，使得321层NAND闪存的生产效率相比上一代提升了59%。
原创文章，作者：NEWS，如若转载，请注明出处：https://www.kejixun.co/article/694456.html
